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onsemi BS170 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 500 mA 830 mW, 3-Pin TO-92


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-1241745
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     BS170
EAN/GTIN:
     5059042712070
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 500 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TO-92
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.8V
Verlustleistung max. = 830 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 5.33mm

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor. Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
500 mA
Drain-Source-Spannung max.:
60 V
Gehäusegröße:
TO-92
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
5 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
3V
Gate-Schwellenspannung min.:
0.8V
Verlustleistung max.:
830 mW
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.:
+150 °C
Höhe:
5.33mm
Weitere Suchbegriffe: Transistor, on semiconductor mosfet, feldeffekttransistor, mosfet to-92, 1241745, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, BS170, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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