| |
|
| Artikel-Nr.: 3794E-1241755 Herst.-Nr.: FQP17P06 EAN/GTIN: 5059042708691 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 17 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 120 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 79 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Betriebstemperatur max. = +175 °C Höhe = 9.4mm
P-Kanal-MOSFET QFET®, Fairchild Semiconductor. Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung. Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 17 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 120 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 79 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –25 V, +25 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Höhe: | 9.4mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet 17a, 1241755, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FQP17P06, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |