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Infineon HEXFET IRFP250MPBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 30 A 214 W, 3-Pin TO-247AC


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-1248762
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRFP250MPBF
EAN/GTIN:
     5059043124995
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 30 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = TO-247AC
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 75 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 214 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 5.2mm
Höhe = 21.1mm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 150 V bis 600 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
30 A
Drain-Source-Spannung max.:
200 V
Gehäusegröße:
TO-247AC
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
75 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Gate-Schwellenspannung min.:
2V
Verlustleistung max.:
214 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Breite:
5.2mm
Höhe:
21.1mm
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet infineon, leistungs-mosfet, mosfet 30a, 1248762, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRFP250MPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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