| |
|
| Artikel-Nr.: 3794E-1249056 Herst.-Nr.: IRFS7530TRL7PP EAN/GTIN: 5059043036649 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 240 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = D2PAK-7 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 7 Drain-Source-Widerstand max. = 1,4 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 3.7V Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V Verlustleistung max. = 375 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Serie = StrongIRFET
Leistungs-MOSFET StrongIRFET™, Infineon. Die Infineon- StrongIRFET -Familie ist optimiert für geringe R ;sub>DS ;/sub>(ein) und hohe Strombelastbarkeit. Dieses Portfolio bietet eine verbesserte Robustheit am Gate, gegen Lawinendurchschlag und gegen dynamische dv/dt und ist damit ideal für industrielle Anwendungen mit niedriger Frequenz wie Motorantriebe, Elektrowerkzeuge, Wechselrichter und das Batteriemanagement, wo Leistung und Robustheit von zentraler Bedeutung sind. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 240 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | D2PAK-7 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 7 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,4 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.7V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.1V | Verlustleistung max.: | 375 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | StrongIRFET |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet d2pak, 1249056, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRFS7530TRL7PP, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |