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| Artikel-Nr.:
3794E-1250545 Herst.-Nr.:
TK17A80W,S4X(S EAN/GTIN:
5059041131025 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 17 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = TO-220SIS
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 290 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 45 W
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 15mm
MOSFET N-Kanal, Serie TK1x, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 17 A | Drain-Source-Spannung max.: | 800 V | Gehäusegröße: | TO-220SIS | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 290 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 45 W | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Höhe: | 15mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 17a, 1250545, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK17A80W,S4X(S, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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