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| Artikel-Nr.:
3794E-1250591 Herst.-Nr.:
TK72E08N1,S1X(S EAN/GTIN:
5059041127783 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 157 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 4,3 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 192 W
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 4.45mm
Höhe = 15.1mm
MOSFET-N-Kanal, Serie TK6 und TK7, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 157 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 4,3 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 192 W | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 4.45mm | Höhe: | 15.1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: to-220 mosfet, 1250591, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK72E08N1,S1X(S, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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