|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1258041 Herst.-Nr.:
IXFN360N10T EAN/GTIN:
5059041070706 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 360 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = SOT-227
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 2,6 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 830 W
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 25.07mm
Diodendurchschlagsspannung = 1.2V
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie GigaMOS™ Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 360 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | SOT-227 | Montage-Typ: | Schraubmontage | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 2,6 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 830 W | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 25.07mm | Diodendurchschlagsspannung: | 1.2V |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 1258041, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFN360N10T, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |