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| Artikel-Nr.:
3794E-1258045 Herst.-Nr.:
IXFR140N30P EAN/GTIN:
5059041611596 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 70 A
Drain-Source-Spannung max. = 300 V
Gehäusegröße = ISOPLUS247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 26 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 300 W
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Länge = 16.13mm
Höhe = 21.34mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 70 A | Drain-Source-Spannung max.: | 300 V | Gehäusegröße: | ISOPLUS247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 26 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 300 W | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Länge: | 16.13mm | Höhe: | 21.34mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1258045, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFR140N30P, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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