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| Artikel-Nr.:
3794E-1332800 Herst.-Nr.:
TK6P65W,RQ(S EAN/GTIN:
5059041067317 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 5,8 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = DTMOSIV
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,05 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 60 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 6.1mm
Höhe = 2.3mm
MOSFET-N-Kanal, Serie TK6 und TK7, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 5,8 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Serie: | DTMOSIV | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,05 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 60 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Breite: | 6.1mm | Höhe: | 2.3mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1332800, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK6P65W,RQ(S, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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