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| Artikel-Nr.:
3794E-1332810 Herst.-Nr.:
TPH8R903NL,LQ(S EAN/GTIN:
5059041092067 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 38 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOP
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 12,7 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.3V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.3V
Verlustleistung max. = 24 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 5mm
Serie = U-MOSVIII-H
MOSFET N-Kanal, Serie TPH, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 38 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOP | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 12,7 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.3V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.3V | Verlustleistung max.: | 24 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 5mm | Serie: | U-MOSVIII-H |
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| Weitere Suchbegriffe: 1332810, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TPH8R903NL,LQ(S, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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