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| Artikel-Nr.:
3794E-1332814 Herst.-Nr.:
TPN30008NH,LQ(S EAN/GTIN:
5059041070355 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 22 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = TSON
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 30 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 27 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Diodendurchschlagsspannung = 1.2V
MOSFET N-Kanal, Serie TPN, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 22 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Gehäusegröße: | TSON | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 30 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 27 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Diodendurchschlagsspannung: | 1.2V |
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| Weitere Suchbegriffe: 1332814, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TPN30008NH,LQ(S, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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