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| Artikel-Nr.:
3794E-1338555 Herst.-Nr.:
IDH08G120C5XKSA1 EAN/GTIN:
5059043604664 |
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| Montage-Typ = THT
Gehäusegröße = TO-220
Dauer-Durchlassstrom max. = 22.8A
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 1200V
Diodenkonfiguration = Einfach
Gleichrichter-Typ = Schottky-Diode
Diode Typ = SiC-Schottky
Pinanzahl = 2 + Tab
Maximaler Spannungsabfall = 2.85V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Diodentechnologie = SiC-Schottky
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch = 70A
thinQ! Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC), Infineon. Die thinQ!™-Generation 5 von Infineon bietet eine neuartige Dünnwafer-Technologie für SiC-Schottky-Barrierendioden mit verbesserten thermischen Eigenschaften. Die SiC-Schottky-Dioden bieten vorteilhafte Funktionen für Hochspannungshalbleiter, etwa eine höhere Durchbruchfeldstärke sowie verbesserte thermische Leitfähigkeit mit höherer Effizienz. Diese neueste Generation eignet sich für den Einsatz in Telekommunikations-SMPS und High-End-Servern, USV-Systemen, Motorantrieben, Solarwechselrichtern sowie PC-Silverbox- und Beleuchtungsanwendungen. Verminderte elektromagnetische Störungen Weitere Informationen: | | Montage-Typ: | THT | Gehäusegröße: | TO-220 | Dauer-Durchlassstrom max.: | 22.8A | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 1200V | Diodenkonfiguration: | Einfach | Gleichrichter-Typ: | Schottky-Diode | Diode Typ: | SiC-Schottky | Pinanzahl: | 2 + Tab | Maximaler Spannungsabfall: | 2.85V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Diodentechnologie: | SiC-Schottky | Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: | 70A |
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| Weitere Suchbegriffe: diode to-220, 1338555, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, Infineon, IDH08G120C5XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
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