|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1339881 Herst.-Nr.:
BSC009NE2LS5IATMA1 EAN/GTIN:
5059043047102 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 100 A
Drain-Source-Spannung max. = 25 V
Gehäusegröße = SuperSO8 5 x 6
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 1,35 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V
Verlustleistung max. = 74 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = +16 V
Breite = 6.35mm
Höhe = 1.1mm
Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 100 A | Drain-Source-Spannung max.: | 25 V | Gehäusegröße: | SuperSO8 5 x 6 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,35 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.2V | Verlustleistung max.: | 74 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | +16 V | Breite: | 6.35mm | Höhe: | 1.1mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet 100a, 1339881, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSC009NE2LS5IATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |