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| Artikel-Nr.: 3794E-134295 Herst.-Nr.: PMV65XP,215 EAN/GTIN: 5059043357553 |
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| Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 3,9 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 76 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 0.9V Gate-Schwellenspannung min. = 0.47V Verlustleistung max. = 1,92 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V Betriebstemperatur max. = +150 °C Betriebstemperatur min. = -55 °C
P-Kanal-MOSFET, Nexperia Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 3,9 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 76 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 0.9V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.47V | Verlustleistung max.: | 1,92 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 134295, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, PMV65XP,215, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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