|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1349696 Herst.-Nr.:
SIRA88DP-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040666016 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 45,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = PowerPAK SO-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 10 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.4V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.1V
Verlustleistung max. = 25 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = +20 V
Breite = 5.26mm
Höhe = 1.12mm
N-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 45,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | PowerPAK SO-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 10 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.1V | Verlustleistung max.: | 25 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | +20 V | Breite: | 5.26mm | Höhe: | 1.12mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 1349696, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIRA88DPT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |