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| Artikel-Nr.:
3794E-1349705 Herst.-Nr.:
SUP50020E-GE3 EAN/GTIN:
5059040665866 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 120 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 2,8 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V
Verlustleistung max. = 375 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 4.65mm
Höhe = 15.49mm
N-Kanal MOSFET, TrenchFET bis Gen III, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 120 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 2,8 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.2V | Verlustleistung max.: | 375 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 4.65mm | Höhe: | 15.49mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, leistungs-mosfet, mosfet to-220ab, 1349705, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SUP50020EGE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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