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| Artikel-Nr.:
3794E-1349713 Herst.-Nr.:
SI3493DDV-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040667112 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 8 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = TSOP-6
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 51 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V
Verlustleistung max. = 3,6 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 34,8 nC @ –8 V
Höhe = 1mm
P-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 8 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | TSOP-6 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 51 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.4V | Verlustleistung max.: | 3,6 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 34,8 nC @ –8 V | Höhe: | 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 8a, 1349713, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI3493DDVT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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