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| Artikel-Nr.:
3794E-1349725 Herst.-Nr.:
SIR668DP-T1-RE3 EAN/GTIN:
5059040665934 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 65 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = PowerPAK SO-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 5,05 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 104 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 5.26mm
Serie = TrenchFET
N-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 65 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | PowerPAK SO-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 5,05 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 104 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 5.26mm | Serie: | TrenchFET |
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| Weitere Suchbegriffe: 1349725, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIR668DPT1RE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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