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| Artikel-Nr.: 3794E-1364804 Herst.-Nr.: NX3008NBKW,115 EAN/GTIN: 5059043669540 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 350 mA Drain-Source-Spannung max. = 30 V Serie = NX3008NBKW Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 1,4 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 1.1V Gate-Schwellenspannung min. = 0.6V Verlustleistung max. = 830 mW Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V Breite = 1.35mm Höhe = 1mm
N-Kanal-MOSFET, bis zu 30 V Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 350 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Serie: | NX3008NBKW | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,4 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.6V | Verlustleistung max.: | 830 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Breite: | 1.35mm | Höhe: | 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1364804, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, NX3008NBKW,115, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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