|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1364862 Herst.-Nr.:
PMV40UN2R EAN/GTIN:
5059043669571 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 4,4 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 44 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 0.9V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V
Verlustleistung max. = 5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Breite = 1.4mm
Diodendurchschlagsspannung = 1.2V
N-Kanal-MOSFET, bis zu 30 V Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 4,4 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 44 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 0.9V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.4V | Verlustleistung max.: | 5 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Breite: | 1.4mm | Diodendurchschlagsspannung: | 1.2V |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 1364862, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, PMV40UN2R, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |