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| Artikel-Nr.:
3794E-1364864 Herst.-Nr.:
PMV250EPEAR EAN/GTIN:
5059043638072 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 1,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 240 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 6,25 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 1.4mm
Automobilstandard = AEC-Q101
P-Kanal-MOSFET, Nexperia Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 1,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 240 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 6,25 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 1.4mm | Automobilstandard: | AEC-Q101 |
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| Weitere Suchbegriffe: 1364864, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, PMV250EPEAR, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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