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| Artikel-Nr.:
3794E-1412079 Herst.-Nr.:
NVD5C668NLT4G EAN/GTIN:
5059042017656 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 49 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 12,8 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.1V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V
Verlustleistung max. = 44 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Serie = NVD5C668NL
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 49 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 12,8 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.2V | Verlustleistung max.: | 44 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Serie: | NVD5C668NL |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 1412079, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NVD5C668NLT4G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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