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| Artikel-Nr.:
3794E-1413193 Herst.-Nr.:
NVMFS5C604NLAFT1G EAN/GTIN:
5059042566475 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 287 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = DFN
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4 + Tab
Drain-Source-Widerstand max. = 1,7 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V
Verlustleistung max. = 200 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Länge = 5.1mm
Automobilstandard = AEC-Q101
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 287 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | DFN | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 4 + Tab | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,7 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.2V | Verlustleistung max.: | 200 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Länge: | 5.1mm | Automobilstandard: | AEC-Q101 |
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| Weitere Suchbegriffe: 1413193, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NVMFS5C604NLAFT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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