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| Artikel-Nr.:
3794E-1417240 Herst.-Nr.:
NVD5C688NLT4G EAN/GTIN:
5059042606577 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 17 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 40 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.1V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V
Verlustleistung max. = 18 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±16 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 7 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = –55 °C
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 17 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 40 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.2V | Verlustleistung max.: | 18 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±16 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 7 nC @ 10 V | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 1417240, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NVD5C688NLT4G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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