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| Artikel-Nr.:
3794E-1445185 Herst.-Nr.:
TJ9A10M3,S4Q(M EAN/GTIN:
5059045319276 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 9 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = TO-220SIS
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 170 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 19 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = +20 V
Breite = 4.5mm
Höhe = 15mm
MOSFET-P-Kanal, TJ9A-Serie, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 9 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | TO-220SIS | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 170 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 19 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | +20 V | Breite: | 4.5mm | Höhe: | 15mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1445185, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TJ9A10M3,S4Q(M, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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