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| Artikel-Nr.:
3794E-1445226 Herst.-Nr.:
TK3P50D,RQ(S EAN/GTIN:
5059041092630 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 3 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 3 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.4V
Verlustleistung max. = 60 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = +30 V
Transistor-Werkstoff = Si
Diodendurchschlagsspannung = 1.7V
MOSFET N-Kanal, Serie TK3x, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 500 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 3 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.4V | Verlustleistung max.: | 60 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | +30 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Diodendurchschlagsspannung: | 1.7V |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 1445226, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK3P50D,RQ(S, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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