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| Artikel-Nr.:
3794E-1451660 Herst.-Nr.:
SIHP6N40D-GE3 EAN/GTIN:
5059040811492 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 6 A
Drain-Source-Spannung max. = 400 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 104 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 4.65mm
Serie = D Series
N-Kanal MOSFET D, Serie Hohe Spannung, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 400 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 104 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Breite: | 4.65mm | Serie: | D Series |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, mosfet, mosfet to-220ab, 1451660, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIHP6N40DGE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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