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| Artikel-Nr.: 3794E-1451789 Herst.-Nr.: IRF9Z34PBF EAN/GTIN: 5059040810259 |
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| Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 18 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 140 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 88 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Transistor-Werkstoff = Si Höhe = 9.01mm
P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 18 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 140 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 88 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Höhe: | 9.01mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1451789, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRF9Z34PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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