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| Artikel-Nr.:
3794E-1451820 Herst.-Nr.:
SIHB30N60E-GE3 EAN/GTIN:
5059040754096 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 29 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 125 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 250 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 4.83mm
N-Kanal-MOSFET, E-Serie, Niedriger Gütefaktor, Vishay Semiconductor. Die Leistungs-MOSFETs der Serie E von Vishay umfassen Hochspannungs-Transistoren mit einem ultraniedrigen maximalen Widerstand und niedrigem Gütefaktor und ermöglichen schnelles Schalten. Sie sind in zahlreichen Nennströmen erhältlich. Typische Anwendungen umfassen Server und Stromversorgung für die Telekommunikation, LED-Beleuchtung, Sperrwandler, Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und Schaltnetzteile (SMPS). Merkmale. Niedriger Gütefaktor (FOM), niedriger RDS(ein) x Qg Niedrige Eingangskapazität (Ciss) Niedriger Widerstand (RDS(ein)) Ultraniedrige Gatterladung (Qg) Schnelle Schaltgeschwindigkeit Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 29 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 125 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 250 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 4.83mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet d2pak, 1451820, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIHB30N60EGE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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