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| Artikel-Nr.:
3794E-1451912 Herst.-Nr.:
IRFD9020PBF EAN/GTIN:
5059040803770 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 1,6 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = HVMDIP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 280 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 1,3 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Diodendurchschlagsspannung = 6.3V
P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 1,6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | HVMDIP | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 280 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 1,3 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Diodendurchschlagsspannung: | 6.3V |
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| Weitere Suchbegriffe: 1451912, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRFD9020PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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