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| Artikel-Nr.: 3794E-1452042 Herst.-Nr.: IRFI510GPBF EAN/GTIN: 5059040809833 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 4,5 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = TO-220FP Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 540 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 27 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Höhe = 16.12mm
N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 4,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | TO-220FP | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 540 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 27 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Höhe: | 16.12mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1452042, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRFI510GPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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