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Vishay THT NPN Fototransistor IR, Sichtbares Licht 2μs, 450nm → 1080nm / 4000μA, 2-Pin 3mm


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-1452619
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     BPW85B
EAN/GTIN:
     5059040807235
Suchbegriffe:
Fototransistor
fototransistor vishay
fototransistor
Erkennbare Spektren = IR, Sichtbares Licht
Fallzeit typ. = 2.3µs
Regelanstiegszeit = 2µs
Anzahl der Kanäle = 1
Lichtstrom max. = 4000µA
Dunkelstrom max. = 200nA
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel = 50°
Polarität = NPN
Anzahl der Pins = 2
Montage Typ = THT
Gehäusetyp = 3 mm (T-1)
Abmessungen = 3.4 x 3.4 x 4.5mm
Kollektorstrom = 50mA
Empfindlichkeit im Spektralbereich = 450 → 1080 nm
Länge = 3.4mm

Fototransistoren Serie BPW85. Die Serie BPW85 von Vishay Semiconductor ist eine Familie von Silizium-NPN-Fototransistoren. Sie werden standardmäßig mit 3 mm (T-1) Kunststoffgehäuse mit klarer Linse geliefert. Die Fototransistoren BPW85 sind empfindlich für sichtbare und Nahe-IR-Strahlung. Die Serie BPW85 umfasst BPW85, BPW85A, BPW85B und BPW85C, und sie sind ideal für Detektoren in elektronischen Steuerungs- und Antriebsstromkreisen.. Merkmale der Fototransistoren BPW85: 3 mm (T-1) Gehäuse Durchgangsbohrung Hohe Fotoempfindlichkeit Hohe Strahlungsempfindlichkeit Schnelle Ansprechzeiten Winkel für halbe Intensität: 25° Betriebstemperatur: –40 bis 100 °C
Weitere Informationen:
Erkennbare Spektren:
IR, Sichtbares Licht
Fallzeit typ.:
2.3µs
Regelanstiegszeit:
2µs
Anzahl der Kanäle:
1
Lichtstrom max.:
4000µA
Dunkelstrom max.:
200nA
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel:
50°
Polarität:
NPN
Anzahl der Pins:
2
Montage Typ:
THT
Gehäusetyp:
3 mm (T-1)
Abmessungen:
3.4 x 3.4 x 4.5mm
Kollektorstrom:
50mA
Empfindlichkeit im Spektralbereich:
450 → 1080 nm
Länge:
3.4mm
Weitere Suchbegriffe: 1452619, Displays und Optoelektronik, Optokoppler und Photodetektoren, Fototransistoren, Vishay, BPW85B, Displays & Optoelectronics, Optocouplers & Photodetectors, Phototransistors
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