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| Artikel-Nr.:
3794E-1453093 Herst.-Nr.:
MJE4343G EAN/GTIN:
5059042695991 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 16 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 160 V
Gehäusegröße = SOT-93
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 125 W
Gleichstromverstärkung min. = 15
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 160 V
Basis-Emitter Spannung max. = 7 V
Arbeitsfrequenz max. = 1 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 16.2 x 15.2 x 4.9mm
Hersteller-Teilenummern mit NSV-Präfix sind gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassen. NPN-Leistungstransistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 16 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 160 V | Gehäusegröße: | SOT-93 | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 125 W | Gleichstromverstärkung min.: | 15 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 160 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 7 V | Arbeitsfrequenz max.: | 1 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 16.2 x 15.2 x 4.9mm |
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| Weitere Suchbegriffe: onsemi transistor, 1453093, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJE4343G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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