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| Artikel-Nr.:
3794E-1453122 Herst.-Nr.:
1N5819G EAN/GTIN:
5059042556131 |
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| Montage-Typ = THT
Gehäusegröße = DO-41
Dauer-Durchlassstrom max. = 1A
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 40V
Diodenkonfiguration = Einfach
Gleichrichter-Typ = Schottky-Diode
Diode Typ = Schottky
Pinanzahl = 2
Maximaler Spannungsabfall = 900mV
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Diodentechnologie = Schottky
Durchmesser = 2.7mm
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch = 25A
Gleichrichter 1N5817/8/9 mit axialem Anschluss von ON Semi. Diese Serie besteht aus einer Leistungsdiode mit Metall auf Silizium. Die Dioden verfügen über Chrom-Barrieremetall, Oxidpassivierung und Metall-Überlappungskontakt. Vorteile:. Sehr niedrige VF Niedrige gespeicherte Ladung Majoritätsträgerleitung Geringer Leistungsverlust/hohe Wirksamkeit. Leistungsmerkmale:. Gehäuse: Epoxidharz, geformt Gewicht: 0,4 Gramm Oberfläche: Alle äußeren Oberflächen sind korrosionsbeständig, die Anschlussdrähte sind sofort lötbar Bleilot-Temperatur für Lötzwecke: max. 260 °C für 10 Sekunden Polarität: Kathode wird durch Polaritätsband angezeigt. Typische Anwendungen:. Hochfrequenzwechselrichter Freilaufdioden Verpolschutzdioden Weitere Informationen: | | Montage-Typ: | THT | Gehäusegröße: | DO-41 | Dauer-Durchlassstrom max.: | 1A | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 40V | Diodenkonfiguration: | Einfach | Gleichrichter-Typ: | Schottky-Diode | Diode Typ: | Schottky | Pinanzahl: | 2 | Maximaler Spannungsabfall: | 900mV | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Diodentechnologie: | Schottky | Durchmesser: | 2.7mm | Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: | 25A |
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| Weitere Suchbegriffe: 1453122, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, onsemi, 1N5819G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
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