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| Artikel-Nr.:
3794E-1455305 Herst.-Nr.:
FDV303N EAN/GTIN:
5059042563207 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 680 mA
Drain-Source-Spannung max. = 25 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 450 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.65V
Verlustleistung max. = 350 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 0.93mm
N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor. Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 680 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 25 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 450 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.65V | Verlustleistung max.: | 350 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | +8 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Höhe: | 0.93mm |
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| Weitere Suchbegriffe: on semiconductor mosfet, 1455305, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDV303N, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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