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| Artikel-Nr.: 3794E-1455323 Herst.-Nr.: FDP090N10 EAN/GTIN: 5059042684742 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 75 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Serie = PowerTrench Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 9 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V Verlustleistung max. = 208 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Betriebstemperatur min. = –55 °C
PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, über 60 A, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 75 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Serie: | PowerTrench | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 9 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 208 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 1455323, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDP090N10, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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