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| Artikel-Nr.:
3794E-1458600 Herst.-Nr.:
IPW60R190P6FKSA1 EAN/GTIN:
5059043772820 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 190 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3.5V
Verlustleistung max. = 151 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 5.21mm
Höhe = 21.1mm
Leistungs-MOSFET Infineon Serie CoolMOS™E6/P6. MOSFETs der Serie Infineon CoolMOS ;sup>™ ;/sup> E6 und P6. Diese äußerst effizienten Geräte können in verschiedenen Anwendungen wie der Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Beleuchtung und Verbrauchergeräten sowie für Solartechnik, Telekommunikation und Server verwendet werden. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 20 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 190 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3.5V | Verlustleistung max.: | 151 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Breite: | 5.21mm | Höhe: | 21.1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungsfaktorkorrektur, mosfet 20a, 1458600, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPW60R190P6FKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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