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| Artikel-Nr.:
3794E-1458707 Herst.-Nr.:
IPP12CN10LGXKSA1 EAN/GTIN:
5059043770727 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 69 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 15,8 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.4V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V
Verlustleistung max. = 125 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 4.57mm
Höhe = 15.95mm
Leistungs-MOSFET-Familie Infineon OptiMOS™2. Die Infineon -OptiMOS™-2 -N-Kanalproduktfamilie bietet den branchenweit niedrigsten Durchlasswiderstand innerhalb ihrer Spannungsgruppe. Die Power MOSFET-Serien können in vielen Anwendungen verwendet werden, etwa Hochfrequenztelekommunikation, Datenkommunikation, Solarbereich, Niederspannungsantriebe sowie Servernetzteile. Die OptiMOS 2 -Produktfamilie ist ab 20 V erhältlich und bietet eine Auswahl von verschiedenen Gehäusearten. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 69 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 15,8 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.2V | Verlustleistung max.: | 125 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 4.57mm | Höhe: | 15.95mm |
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| Weitere Suchbegriffe: to-220 mosfet, 1458707, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPP12CN10LGXKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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