Produktinformationen: | | |
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| Artikel-Nr.:
3794E-1458738 Herst.-Nr.:
IPW65R190C7XKSA1 EAN/GTIN:
5059043770901 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 13 A
Drain-Source-Spannung max. = 700 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 190 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Verlustleistung max. = 72 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C6/C7 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 13 A | Drain-Source-Spannung max.: | 700 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 190 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Verlustleistung max.: | 72 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 1458738, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPW65R190C7XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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