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| Artikel-Nr.:
3794E-1459170 Herst.-Nr.:
IPA60R190E6XKSA1 EAN/GTIN:
5059043778884 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-220 FP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 440 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 34 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Diodendurchschlagsspannung = 0.9V
Leistungs-MOSFET Infineon Serie CoolMOS™E6/P6. MOSFETs der Serie Infineon CoolMOS ;sup>™ ;/sup> E6 und P6. Diese äußerst effizienten Geräte können in verschiedenen Anwendungen wie der Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Beleuchtung und Verbrauchergeräten sowie für Solartechnik, Telekommunikation und Server verwendet werden. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 20 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | TO-220 FP | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 440 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 34 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Diodendurchschlagsspannung: | 0.9V |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungsfaktorkorrektur, mosfet 20a, 1459170, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPA60R190E6XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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