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| Artikel-Nr.:
3794E-1459275 Herst.-Nr.:
IPP80N08S2L07AKSA1 EAN/GTIN:
5059043699134 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 80 A
Drain-Source-Spannung max. = 75 V
Serie = OptiMOS™
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 6,8 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V
Verlustleistung max. = 300 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 183 nC @ 10 V
Höhe = 15.95mm
Infineon OptiMOS™ Leistungs-MOSFET-Produktfamilie. optimos™ Produkte sind erhältlich in hohe Performance Packages zur Bewältigung der anspruchsvollsten Anwendungen für die volle Flexibilität bei eingeschränkten Platzverhältnissen. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.. N-Kanal - Anreicherungstyp Kfz AEC Q101 zugelassen MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung 175 °C Betriebstemperatur grünen Paket (bleifrei) Extrem niedriger RDS(on) Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 80 A | Drain-Source-Spannung max.: | 75 V | Serie: | OptiMOS™ | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 6,8 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.2V | Verlustleistung max.: | 300 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 183 nC @ 10 V | Höhe: | 15.95mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1459275, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPP80N08S2L07AKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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