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| Artikel-Nr.: 3794E-1459321 Herst.-Nr.: IPA60R199CPXKSA1 EAN/GTIN: 5059043764467 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 16 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = TO-220 FP Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 199 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V Verlustleistung max. = 34 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Breite = 4.85mm Höhe = 16.15mm
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™CP Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 16 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | TO-220 FP | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 199 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 34 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Breite: | 4.85mm | Höhe: | 16.15mm |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: to-220 mosfet, 1459321, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPA60R199CPXKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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