|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1459419 Herst.-Nr.:
FP35R12W2T4BOMA1 EAN/GTIN:
5059043471563 |
| |
|
| | |
| Dauer-Kollektorstrom max. = 54 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 215 W
Gehäusegröße = AG-EASY2B-1
Montage-Typ = Tafelmontage
Channel-Typ = N
Transistor-Konfiguration = 3-phasig
Abmessungen = 56.7 x 48 x 12mm
Betriebstemperatur min. = –40 °C
IGBT-Module, Infineon. Die IGBT-Module von Infineon bieten einen niedrigen Schaltverlust beim Schalten mit Frequenzen von bis zu 60 kHz. Die IGBTs umspannen eine Reihe von Versorgungsmodulen wie die ECONOPACK-Gehäuse mit Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V, PrimePACK-IGBT-Halbbrücken-Choppermodule mit NTC bis 1600/1700 V. Die PrimePACK-IGBTs werden in industriellen, kommerziellen, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeugen verwendet. Die N-Channel TRENCHSTOP ;sup>TM ;/sup>- und Fieldstop-IGBT-Module sind für hartes Schalten und weiches Schalten wie in Wechselrichtern, USV und industriellen Antrieben geeignet.. Gehäuseausführungen umfassen: 62-mm-Modul, EasyPack, EconoPACK ;sup>TM ;/sup>2/EconoPACK ;sup>TM ;/sup>3/EconoPACK ;sup>TM ;/sup>4 Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 54 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 215 W | Gehäusegröße: | AG-EASY2B-1 | Montage-Typ: | Tafelmontage | Channel-Typ: | N | Transistor-Konfiguration: | 3-phasig | Abmessungen: | 56.7 x 48 x 12mm | Betriebstemperatur min.: | –40 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: igbt infineon, igbt, 1459419, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, FP35R12W2T4BOMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
| | |
| |