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| Artikel-Nr.: 3794E-1459478 Herst.-Nr.: BSC22DN20NS3GATMA1 EAN/GTIN: 5059043064970 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 7 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Gehäusegröße = TDSON Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 225 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4V Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 34 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Länge = 5.35mm Serie = OptiMOS 3
Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 7 A | Drain-Source-Spannung max.: | 200 V | Gehäusegröße: | TDSON | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 225 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 34 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Länge: | 5.35mm | Serie: | OptiMOS 3 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 1459478, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSC22DN20NS3GATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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