|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1461694 Herst.-Nr.:
IXFN24N100 EAN/GTIN:
5059041730792 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 24 A
Drain-Source-Spannung max. = 1000 V
Gehäusegröße = SOT-227
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 390 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.5V
Verlustleistung max. = 568 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 25.42mm
Höhe = 9.6mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS-Serie HiperFET™ Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 24 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1000 V | Gehäusegröße: | SOT-227 | Montage-Typ: | Schraubmontage | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 390 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5.5V | Verlustleistung max.: | 568 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 25.42mm | Höhe: | 9.6mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 1461694, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFN24N100, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |