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| Artikel-Nr.: 3794E-1461788 Herst.-Nr.: IXFH34N65X2 EAN/GTIN: 5059041170000 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 34 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 5V Gate-Schwellenspannung min. = 2.7V Verlustleistung max. = 540 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Betriebstemperatur max. = +150 °C Diodendurchschlagsspannung = 1.4V
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiPerFET™ Serie X2. Die Leistungs-MOSFETs der Klasse X2 aus der Serie HiPerFET von IXYS bieten einen deutlich verringerten Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringe Gate-Ladung im Vergleich zu früheren Generationen von Leistungs-MOSFETs, was zu geringeren Verlusten und einer höheren Betriebseffizienz führt. Diese robusten Geräte umfassen eine verbesserte Hochgeschwindigkeits-Intrinsic-Diode, und sie sind für hartes Schalten ebenso wie für den Resonanzbetrieb geeignet. Leistungs-MOSFETs der Klasse X2 sind in einer Reihe von Industriestandard-Gehäusen einschließlich isolierten Typen mit Nennströmen von bis zu 120 A bei 650 V erhältlich. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, AC- und DC-Motorantriebe, Schalt- und Resonanznetzteile, DC-Chopper, Solarwechselrichter, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung. Sehr niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung) Schnelle interne Gleichrichterdiode Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand Niedrige Gehäuseinduktivität Industriestandard-Gehäuse Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 34 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 100 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.7V | Verlustleistung max.: | 540 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Diodendurchschlagsspannung: | 1.4V |
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| Weitere Suchbegriffe: 1461788, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFH34N65X2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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