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| Artikel-Nr.:
3794E-1461975 Herst.-Nr.:
FDP036N10A EAN/GTIN:
5059042696103 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 214 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 3,6 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 333 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 4.83mm
Höhe = 9.4mm
PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, über 60 A, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 214 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 3,6 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 333 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 4.83mm | Höhe: | 9.4mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet to-220ab, 1461975, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDP036N10A, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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