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| Artikel-Nr.:
3794E-1464252 Herst.-Nr.:
IXYH30N170C EAN/GTIN:
5059041643542 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1700 V
Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±30V
Anzahl an Transistoren = 1
Gehäusegröße = TO247AD
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 16.13 x 5.21 x 21.34mm
Betriebstemperatur max. = +175 °C
IXYS XPT (eXtreme-light Punch Through) IGBTs mit Nennströmen von 29 bis 178 A sind gut für Anwendungen mit Hochspannungs- und Hochgeschwindigkeits-Leistungsumwandlung geeignet. Diese Geräte wurden mit der proprietären Dünnwafer-XPT-Technologie und dem hochmodernen IGBT-Prozess entwickelt und zeigen Eigenschaften wie geringeren Wärmewiderstand, geringen Tailstrom, geringen Energieverlust und hohe Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung. Dank des positiven Temperaturkoeffizienten ihrer Durchlassspannung können die neuen Hochspannungs-IGBTs parallel eingesetzt werden, was im Vergleich zu Geräten mit niedrigerer Spannung in Reihenschaltung eine kosteneffiziente Lösungen darstellt.Thin wafer XPT-Technologie Niedrige Betriebsspannungen VCE(sat) Co-Pack-Dioden mit kurzer Erholzeit Positiver Temperaturkoeffizient von VCE(sat) Hohe Effizienz Erhöhte Zuverlässigkeit für elektrische Anlagen Anwendungsbereich Impulsgeber-Stromkreise Laser- und Röntgengeneratoren Hochspannungsnetzteile Hochspannungs-Messeinrichtungen Kondensatorentladungs-Stromkreise AC-Schalter Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 100 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1700 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V, ±30V | Anzahl an Transistoren: | 1 | Gehäusegröße: | TO247AD | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 16.13 x 5.21 x 21.34mm | Betriebstemperatur max.: | +175 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, 1464252, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXYH30N170C, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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