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| Artikel-Nr.:
3794E-1464254 Herst.-Nr.:
IXYX30N170CV1 EAN/GTIN:
5059041728621 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1700 V
Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±30V
Anzahl an Transistoren = 1
Gehäusegröße = PLUS247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 16.13 x 5.21 x 21.34mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Thin wafer XPT™-Technologie Niedrige Betriebsspannungen VCE(sat) Co-Pack-Dioden mit kurzer Erholzeit Positiver Temperaturkoeffizient von VCE(sat) Hochspannungsgehäuse in internationaler Standardgröße Höhere Effizienz Beseitigung von mehreren verbundenen Geräten Erhöhte Zuverlässigkeit für elektrische Anlagen Impulsgeber-Stromkreise Laser- und Röntgengeneratoren Hochspannungsnetzteile Hochspannungs-Messeinrichtungen Kondensatorentladungs-Stromkreise AC-Schalter Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 100 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1700 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V, ±30V | Anzahl an Transistoren: | 1 | Gehäusegröße: | PLUS247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 16.13 x 5.21 x 21.34mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, 1464254, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXYX30N170CV1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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