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| Artikel-Nr.:
3794E-1464362 Herst.-Nr.:
IXYX25N250CV1HV EAN/GTIN:
5059041642019 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 95 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 2500 V
Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±30V
Verlustleistung max. = 937 W
Gehäusegröße = PLUS247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 16.13 x 5.21 x 21.34mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Thin wafer XPT™-Technologie Niedrige Betriebsspannungen VCE(sat) Co-Pack-Dioden mit kurzer Erholzeit Positiver Temperaturkoeffizient von VCE(sat) Hochspannungsgehäuse in internationaler Standardgröße Höhere Effizienz Beseitigung von mehreren verbundenen Geräten Erhöhte Zuverlässigkeit für elektrische Anlagen Impulsgeber-Stromkreise Laser- und Röntgengeneratoren Hochspannungsnetzteile Hochspannungs-Messeinrichtungen Kondensatorentladungs-Stromkreise AC-Schalter Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 95 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 2500 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V, ±30V | Verlustleistung max.: | 937 W | Gehäusegröße: | PLUS247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 16.13 x 5.21 x 21.34mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, 1464362, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXYX25N250CV1HV, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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